相對于傳統的KD*P電光調制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數，弱的壓電振鈴效應，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優點。相對于RTP電光調制晶體，BBO晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度適應性，有利于提高專業LN晶體激光輸出功率的穩定性。因此，由BBO晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率（1MHz），高功率（高達1000W）的電光調Q固體激光器，腔倒空調Q激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大激光系統中，我們也提供配套的專業LN晶體調制，調Q，選單，再生放大等驅動電源。

還有各種配套的電光驅動，包括窄上升沿的，高重復頻率的，小體積封裝的，低抖動的驅動模塊，同步再生放大驅動。另外現場還展示了水冷結構，風冷結構，溫控器等配套組件，為了配合客戶的LN晶體供應商更新更前沿的研發方向，我們的產品設計各種各樣，也豐富了我們自己的產品種類，快譜光電全體員工將會繼續一如既往的盡全力努力前行，堅持以專業LN晶體技術創新為主，不斷提高產品質量，不斷升級產品型號，不斷增強核心實力，為客戶提供更完善的問題解決方案，優質的產品和完善的服務，和客戶一起成長進步，攜手走向未來，拓展各種電光開關的應用領域。

相對來說，升降式高桿電光開關適用于大面積照明。高桿電光開關所采用的投光要具有射程遠、定向性好的優點， 電光開關桿的距離可大大增加，因而減少電光開關桿數量。25m為以下的高桿 電光開關一般采用400W 電光開關具， 專業LN晶體越高則需使用的 電光開關具功率越大，常用的1000W，但根據需要也可選用600W及750W的光源。高桿 電光開關由于是三相供電，LN晶體供應商具數量應為3W的倍數，以便于三相負荷平衡。隧道內一般有兩種選擇，配高壓鈉電光開關的隧道 電光開關和熒光 電光開關防水支架。

肋片長度決定了肋片的散熱面積，同時專業LN晶體肋片間距的大小又對肋片數量以及肋片的總體散熱面積有著重要的影響，散熱面積是自然對流散熱設計中的核心要素，因此有必要對以上兩個參數進行優化設計。針對耗散功率為9W的情況進行優化設計。不同肋片長度下，肋片間距和zui低毛細極限的關系可以看出，在9W耗散功率下，肋片長度B大于等于28mm時，只要LN晶體供應商肋片間距合適，都可以滿足散熱需求。結合圖6可以看出，滿足芯片結溫小于85℃要求的數據點很多，但根據芯片結溫越低，散熱效果越好的原則，同時從節約成本的角度來考慮，最適宜的肋片長度為28mm，肋片間距為6.5mm。

通信速度達ADSL6倍的高速無線通信裝置日本NTT開發出一種LN晶體供應商高速無線通信裝置，即使在光回路敷設困難、建筑年代很早的公寓大樓也能實現寬帶通信。該裝置的傳輸速度為80Gbit/s，是目前快12Mbit/s非對稱數字用戶線（ADSL）的6倍。該裝置由接收機和發送機構成，其接收機的長寬尺寸各為19cm、厚度為5cm。該裝置可安裝在公寓大樓的走廊，用于接收信號。發送機可安置于能夠僚望公寓大樓的建筑物的屋頂或電線桿，以26GHz的電波向各用戶輸送數據信號。在舊公寓大樓的建筑物內沒法敷設光回路，因此必須設置專業LN晶體新的管線，從而使工程費用增加。但如果采用無線裝置，則不需要再敷設工程，用一個發送機便可以覆蓋整個公寓大樓，使工程造價更便宜。

考慮到工程適用性，需要保證熱管在環境溫度為0～45℃下能夠正常工作，同時芯片結溫控制在85℃以下，以滿足電光開關具的使用要求。①LED耗散功率的優化。選取LED的安裝個數為6～11（即 電光開關具的耗散功率為6～11W），分析LN晶體供應商限制熱管大傳熱量的毛細限參數隨環境溫度的變化趨勢。出現zui低毛細極限的環境溫度為0℃，因此必須比較zui低毛細極限下，各耗散功率下的散熱量大小，可以最終確定出本設計的熱管散熱器能安裝的zui大LED個數為9個，即 電光開關具的zui大散熱量為9W。不同耗散功率下，環境溫度和毛細極限的關系：4LED個數和毛細極限的關系②肋片長度和肋片間距的優化。由于肋片寬度由專業LN晶體的蒸發段寬度決定，因此該設計參數已經由之前蒸發段的尺寸定出。