摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關資訊

2019-12-05

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產品特性:
　　調Q開關廠家告訴您:光學級摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體以及鈮酸鋰（LN）晶體擁有較好的電光性能，非線性系數大，光學均勻性好，機械及化學性🐈能穩定，不潮解，半波電壓低，其缺點是消光比低，抗損傷閾值低，常被應用于低重復頻率（100Hz）。

應用范圍：
　　MgO:LN以及LN電光調Q開關應用廣泛，常被應用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中，適應于低功率調Q輸出，尤其在激光測距領域發揮著重要的作用。本公司推出LN電光開關和電光調制器可為客戶提供最緊湊的小體積設計，可按客戶要求改變外殼圖紙，便于最終調試和應用。

摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關

標準要求（LN電光調Q及電光調制器）
截面	zui大	20 x 20 mm2
	zui小	4 x 1mm2
長度	zui大	60 mm
	zui小	5 mm
定向		10分
平面度		λ/8 @ 633nm
透過畸變		λ/4 @ 633nm
光學平行		< 20 arc sec.
側垂		< 5 arc sec.
光潔度		10-5 膜后20-10
輸入/輸出端鍍膜		300-3000nm可訂制
質量有效期		一年

標準規格
序列號	通光孔徑	外殼尺寸（可按客戶設計）	半波λ/4電壓
CPLPC-025-633nm-M	2.5mm	直徑20mm x66mm 晶體尺寸 4x2.5x60mm	400V λ/2 at 633nm電光調制
CPLPC-05-633nm-M	5mm	直徑25.4mm x36mm 晶體尺寸 5x5x30mm	800V λ/2 at 633nm電光調制
CPMLPC-09-1064nm-Q	9 mm	直徑30mm x 26mm	2100V λ/4 at 1064nm 電光調Q
CPMLPC-06-1064nm-Q	6 mm	直徑25.4mm x 26mm	1400V λ/4 at 1064nm 電光調Q
CPMLPC-09-1064-Q-S	9mm	方型設計 18 x 17 x 20mm	2100V λ/4 at 1064nm 電光調Q
整體透過率	>98%	晶體透過畸變	λ/6 @ 633nm
插入損耗	2%	晶體平面度	λ/8 @ 633nm
建議輸出調Q能量	100 mJ	消光比	300:1 - 500:1
電容	5pF	X面鍍金鉻電極
損傷閾值	100 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （LN開關） 200 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （MgO:LN開關）