摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體和鈮酸鋰（LN）晶體

我要詢價

晶體特性：
　　光學級摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體和鈮酸鋰（LN）晶體擁有較好的電光性能，非線性系數大，光學均勻性好，機械及化學性能穩定，不潮解，半波電壓低，缺點是消光比低，抗損傷閾值低。

摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體

應用范圍：
　　LN晶體應用波長范圍寬廣（420 – 5200nm），常被應用于Er：YAG,Ho：YAG，Tm：YAG激光器中，除了非線性應用，鈮酸鋰還作為電光材料在光通訊中起到光調制作用。。我公司還可提供摻鐵鈮酸鋰晶體（Fe：LiNbO3晶體）。

標準要求
消光比	300:1-700:1	平行	< 20 arc sec.
整體透過率	> 98%	波前畸變	λ/4 @ 633nm
平面度	λ/8 @ 633nm	光潔度	10-5 膜后 20-10
損傷閾值	100 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz（LN） 200 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz（MgO:LN）

上一篇：LGS晶體2021-04-22

下一篇：沒有了

上海楼凤兼职